○ 스웨덴 국립연구기관 RISE는 차세대 전력전자 경쟁력 강화를 위해 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력반도체 기술에 대규모 투자를 추진했다고 발표함

– 스톡홀름 Kista 지역에 첨단 SiC 에피택시(Epitaxy) 장비를 도입해 전력 반도체 분야 연구·개발 역량을 강화할 예정임

○ SiC 에피택시 기술은 동일한 결정 구조를 가진 기판 위에 결정층을 성장시키는 공정으로 고성능·고효율 전력반도체 개발에 필수적인 핵심 기술임

– 전력망, 전기차 및 운송, 산업 시스템, 전자 제조, 국방 분야 등 다양한 산업에 활용 예정임

– EU가 추진하는 반도체 기술주권(Technological Sovereignty) 전략의 핵심 기술 분야로 평가됨

○ RISE는 이번 투자를 통해 고성능 전력반도체 개발 역량 강화와 디지털·전기화·녹색전환 지원, 스웨덴 기업의 글로벌 반도체 공급망 참여 확대 및 유럽 반도체 산업 경쟁력 제고 효과를 기대함